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M29W128GH60ZA6E

M29W128GH60ZA6E

僅供參考

型號 M29W128GH60ZA6E
PNEDA編號 M29W128GH60ZA6E
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W128GH60ZA6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W128GH60ZA6E
類別半導體內存IC內存

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M29W128GH60ZA6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8, 8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間60ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-TBGA (10x13)

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

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工作溫度

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Surface Mount

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

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時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

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工作溫度

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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