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M29W160ET70ZS6E

M29W160ET70ZS6E

僅供參考

型號 M29W160ET70ZS6E
PNEDA編號 M29W160ET70ZS6E
描述 IC FLASH 16M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M29W160ET70ZS6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M29W160ET70ZS6E
類別半導體內存IC內存
數據表
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M29W160ET70ZS6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

Axcell™

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

52MHz

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-TBGA

供應商設備包裝

64-EasyBGA (8x10)

AT28BV64-20SC

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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