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M3045S-M3/4W

M3045S-M3/4W

僅供參考

型號 M3045S-M3/4W
PNEDA編號 M3045S-M3-4W
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

M3045S-M3/4W資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號M3045S-M3/4W
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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M3045S-M3/4W規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 45V
電容@ Vr,F980pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 100V

電容@ Vr,F

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30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

200pF @ 40V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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