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MAX8552ETB+T

MAX8552ETB+T

僅供參考

型號 MAX8552ETB+T
PNEDA編號 MAX8552ETB-T
描述 IC DRIVER MOSFET HS 10-TDFN
制造商 Maxim Integrated
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MAX8552ETB+T資源

品牌 Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MAX8552ETB+T
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
MAX8552ETB+T, MAX8552ETB+T數據表 (總頁數: 11, 大小: 186.03 KB)
PDFMAX8552ETB+T數據表 封面
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MAX8552ETB+T規格

制造商Maxim Integrated
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.5V ~ 6.5V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.5V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)-
上升/下降時間(典型值)14ns, 9ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱10-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝10-TDFN-EP (3x3)

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門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4V ~ 6V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

33ns, 27ns

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-CDIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

85ns, 85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

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邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.8V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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安裝類型

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 12.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

125V

上升/下降時間(典型值)

65ns, 65ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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