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MBR1050HC0G

MBR1050HC0G

僅供參考

型號 MBR1050HC0G
PNEDA編號 MBR1050HC0G
描述 DIODE GEN PURP 50V 10A TO220AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR1050HC0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR1050HC0G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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MBR1050HC0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果800mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 30V

電容@ Vr,F

15pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 7A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 1800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

183pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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