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MBR600150CTR

MBR600150CTR

僅供參考

型號 MBR600150CTR
PNEDA編號 MBR600150CTR
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR600150CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR600150CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR600150CTR, MBR600150CTR數據表 (總頁數: 3, 大小: 712.93 KB)
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MBR600150CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 1200V

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安裝類型

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500A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.6V @ 300A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 1200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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