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MBR735

MBR735

僅供參考

型號 MBR735
PNEDA編號 MBR735_6B
描述 DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220-2
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR735資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR735
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
MBR735, MBR735數據表 (總頁數: 5, 大小: 115.78 KB)
PDFMBR745數據表 封面
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MBR735規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)35V
電流-平均整流(Io)7.5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果840mV @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 35V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

43ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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400V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.12V @ 8A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.4µs

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

58pF @ 4V, 1MHz

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