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MC1331-2

MC1331-2

僅供參考

型號 MC1331-2
PNEDA編號 MC1331-2
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,160
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MC1331-2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MC1331-2
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MC1331-2規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

17dB ~ 18dB

功率-最大

1.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 150mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

870MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB ~ 9.5dB

功率-最大

2.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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