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MCH6604-TL-E

MCH6604-TL-E

僅供參考

型號 MCH6604-TL-E
PNEDA編號 MCH6604-TL-E
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6604-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6604-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MCH6604-TL-E, MCH6604-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 247.96 KB)
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MCH6604-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.57nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6.6pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

功率-最大

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 35V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

642pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

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