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MMBTA06_D87Z

MMBTA06_D87Z

僅供參考

型號 MMBTA06_D87Z
PNEDA編號 MMBTA06_D87Z
描述 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBTA06_D87Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBTA06_D87Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MMBTA06_D87Z, MMBTA06_D87Z數據表 (總頁數: 10, 大小: 401.8 KB)
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MMBTA06_D87Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

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50MHz

工作溫度

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NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 500mA, 5V

功率-最大

32W

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-

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150°C (TJ)

安裝類型

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

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