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MMDF2N02ER2

MMDF2N02ER2

僅供參考

型號 MMDF2N02ER2
PNEDA編號 MMDF2N02ER2
描述 MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMDF2N02ER2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMDF2N02ER2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MMDF2N02ER2, MMDF2N02ER2數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.08 KB)
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MMDF2N02ER2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds532pF @ 16V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A, 6.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 5.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 10V

功率-最大

1.6W, 1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

1.04W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 10.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

3.3W, 3.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1472pF @ 10V

功率-最大

770mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A, 3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

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