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MMSZ3V3ET1

MMSZ3V3ET1

僅供參考

型號 MMSZ3V3ET1
PNEDA編號 MMSZ3V3ET1
描述 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMSZ3V3ET1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMSZ3V3ET1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
MMSZ3V3ET1, MMSZ3V3ET1數據表 (總頁數: 6, 大小: 171.53 KB)
PDFMMSZ15ET1G數據表 封面
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MMSZ3V3ET1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.3V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)95 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

22V

公差

±10%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

3.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 15.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±5%

功率-最大

50W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 11.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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