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MPSW45AZL1G

MPSW45AZL1G

僅供參考

型號 MPSW45AZL1G
PNEDA編號 MPSW45AZL1G
描述 TRANS NPN DARL 50V 1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 18 - 三月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MPSW45AZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MPSW45AZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
MPSW45AZL1G, MPSW45AZL1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 114.08 KB)
PDFMPSW45AZL1G數據表 封面
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MPSW45AZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 2mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25000 @ 200mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92 (TO-226)

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

210MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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制造商

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1A, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

75MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 2V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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