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MRF5812M

MRF5812M

僅供參考

型號 MRF5812M
PNEDA編號 MRF5812M
描述 TRANS NPN 15V 200MA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MRF5812M資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MRF5812M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MRF5812M規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

18dB ~ 22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

15GN03MA-TL-E

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

1.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.6dB @ 0.4GHz

增益

13dB @ 0.4GHz

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

30MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

290W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

13.5dB ~ 20.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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