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MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B

僅供參考

型號 MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
PNEDA編號 MT29F512G08CECBBJ4-5M-B
描述 IC FLASH
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
類別半導體內存IC內存

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MT29F512G08CECBBJ4-5M:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (MLC)
內存大小512Gb (64G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱132-VBGA
供應商設備包裝132-VBGA (12x18)

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

7016L15J8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

144Kb (16K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

32-SOJ

IDT71V416VL12BE8

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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