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MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

僅供參考

型號 MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
PNEDA編號 MT53B256M32D1NP-062-WT-ES-C-TR
描述 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR
類別半導體內存IC內存

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  • MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR Distributor

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小8Gb (256M x 32)
內存接口-
時鐘頻率1600MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-30°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱200-WFBGA
供應商設備包裝200-WFBGA (10x14.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

96ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

12ns

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時鐘頻率

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訪問時間

55ns

電壓-供電

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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