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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

僅供參考

型號 MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
PNEDA編號 MT53B512M32D2DS-053-AAT-E
描述 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價
1 ---------- $666.3098
50 ---------- $635.0765
100 ---------- $603.8432
200 ---------- $572.6100
400 ---------- $546.5822
500 ---------- $520.5545
庫存 3,435
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
類別半導體內存IC內存

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MT53B512M32D2DS-053 AAT:E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
內存大小16Gb (512M x 32)
內存接口-
時鐘頻率1866MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.1V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱200-WFBGA
供應商設備包裝200-WFBGA (10x14.5)

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內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-BGA (8x6)

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QUAD

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

110ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

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