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MTFC2GMVEA-0M WT TR

MTFC2GMVEA-0M WT TR

僅供參考

型號 MTFC2GMVEA-0M WT TR
PNEDA編號 MTFC2GMVEA-0M-WT-TR
描述 IC FLASH 16G MMC 153VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTFC2GMVEA-0M WT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTFC2GMVEA-0M WT TR
類別半導體內存IC內存

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MTFC2GMVEA-0M WT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小16Gb (2G x 8)
內存接口MMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-VFBGA
供應商設備包裝153-VFBGA

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Micron Technology Inc.

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技術

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內存大小

256Gb (32G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (13.97x11.43)

AT24C64-10TC-1.8

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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