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MURT20005

MURT20005

僅供參考

型號 MURT20005
PNEDA編號 MURT20005
描述 DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT20005資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT20005
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURT20005規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Three Tower

供應商設備包裝

Three Tower

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

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二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

120A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 1mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 10V

工作溫度-結點

125°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

510mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 800V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

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