MX2N4856UB
僅供參考
| 型號 | MX2N4856UB |
| PNEDA編號 | MX2N4856UB |
| 描述 | N CHANNEL JFET |
| 制造商 | Microsemi |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,178 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) |
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MX2N4856UB規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | * |
| FET類型 | - |
| 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） | - |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | - |
| 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） | - |
| 電流消耗（Id）-最大 | - |
| 電壓-截止（VGS關閉）@ ID | - |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | - |
| 電阻-RDS（On） | - |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | - |
| 安裝類型 | - |
| 包裝/箱 | - |
| 供應商設備包裝 | - |
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制造商 Microsemi Corporation 系列 * FET類型 - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） - 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） - 功率-最大 - 工作溫度 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 250mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23 (TO-236AB) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 30V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 7mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 電阻-RDS（On） 125 Ohms 功率-最大 350mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 30V 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 1.5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On） 300 Ohms 功率-最大 400mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 50V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1.5V @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 13pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 100mW 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 USM |
