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NAND02GR3B2DN6E

NAND02GR3B2DN6E

僅供參考

型號 NAND02GR3B2DN6E
PNEDA編號 NAND02GR3B2DN6E
描述 IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NAND02GR3B2DN6E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NAND02GR3B2DN6E
類別半導體內存IC內存

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NAND02GR3B2DN6E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間45ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP

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內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

32-TSOP

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

7µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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內存類型

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-DFN (2x3)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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