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NDB5060L

NDB5060L

僅供參考

型號 NDB5060L
PNEDA編號 NDB5060L
描述 MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NDB5060L資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NDB5060L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NDB5060L, NDB5060L數據表 (總頁數: 14, 大小: 476.13 KB)
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NDB5060L規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds840pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)68W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

894pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 21.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

146W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.85nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

289pF @ 10V

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功耗(最大值)

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功耗(最大值)

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