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PSMN9R1-30YL,115

PSMN9R1-30YL,115

僅供參考

型號 PSMN9R1-30YL,115
PNEDA編號 PSMN9R1-30YL-115
描述 MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 27,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN9R1-30YL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN9R1-30YL,115
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN9R1-30YL, PSMN9R1-30YL數據表 (總頁數: 14, 大小: 919.45 KB)
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PSMN9R1-30YL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)57A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.15V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds894pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK56, Power-SO8
包裝/箱SC-100, SOT-669

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

265mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3830pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 91µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4750pF @ 37.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.3A (Ta), 79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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