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NE68530-A

NE68530-A

僅供參考

型號 NE68530-A
PNEDA編號 NE68530-A
描述 RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68530-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68530-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE68530-A, NE68530-A數據表 (總頁數: 17, 大小: 720.24 KB)
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NE68530-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡12GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益7dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 10mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz

增益

10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

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工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

9dB ~ 18dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-86

供應商設備包裝

86 Plastic

PN5179

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

300MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

增益

-

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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