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NGTB35N60FL2WG

NGTB35N60FL2WG

僅供參考

型號 NGTB35N60FL2WG
PNEDA編號 NGTB35N60FL2WG
描述 IGBT 600V 70A 300W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NGTB35N60FL2WG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NGTB35N60FL2WG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
NGTB35N60FL2WG, NGTB35N60FL2WG數據表 (總頁數: 8, 大小: 93.66 KB)
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NGTB35N60FL2WG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 35A
功率-最大300W
開關能量840µJ (on), 280µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用125nC
25°C時的Td(開/關)72ns/132ns
測試條件400V, 35A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)68ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 30A

功率-最大

208W

開關能量

1.1mJ (on), 240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/58ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

52A

電流-集電極脈沖(Icm)

104A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

490µJ (on), 680µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/160ns

測試條件

480V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 60A

功率-最大

300W

開關能量

8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/300ns

測試條件

480V, 60A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

54W

開關能量

70µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

9ns/65ns

測試條件

480V, 7A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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