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NSS12601CF8T1G

NSS12601CF8T1G

僅供參考

型號 NSS12601CF8T1G
PNEDA編號 NSS12601CF8T1G
描述 TRANS NPN 12V 6A 1206A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS12601CF8T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS12601CF8T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSS12601CF8T1G, NSS12601CF8T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 83.2 KB)
PDFNSS12601CF8T1G數據表 封面
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NSS12601CF8T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic120mV @ 400mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1A, 2V
功率-最大830mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

440mV @ 200mA, 4.5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.5W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

180V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

37W

頻率-過渡

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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