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NTD24N06LT4G

NTD24N06LT4G

僅供參考

型號 NTD24N06LT4G
PNEDA編號 NTD24N06LT4G
描述 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,834
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD24N06LT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD24N06LT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD24N06LT4G, NTD24N06LT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 140.8 KB)
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NTD24N06LT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 5V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

535pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.35nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.79W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

920mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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