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NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

僅供參考

型號 NTGD4161PT1G
PNEDA編號 NTGD4161PT1G
描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,978
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 9 - 一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTGD4161PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTGD4161PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTGD4161PT1G, NTGD4161PT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 67.01 KB)
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NTGD4161PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds281pF @ 15V
功率-最大600mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40mA, 16mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

455mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.41nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

31pF @ 15V

功率-最大

310mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

111mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

767pF @ 10V

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