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NTHS5441T1G

NTHS5441T1G

僅供參考

型號 NTHS5441T1G
PNEDA編號 NTHS5441T1G
描述 MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,052
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHS5441T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHS5441T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTHS5441T1G, NTHS5441T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 117.26 KB)
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NTHS5441T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 5V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ChipFET™
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2596pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.95V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.85nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

867pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.52W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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300W (Tc)

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