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NTJD4105CT4

NTJD4105CT4

僅供參考

型號 NTJD4105CT4
PNEDA編號 NTJD4105CT4
描述 MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,340
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD4105CT4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD4105CT4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD4105CT4, NTJD4105CT4數據表 (總頁數: 8, 大小: 131.5 KB)
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NTJD4105CT4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA, 775mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46pF @ 20V
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.2pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 15V

功率-最大

57W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

62V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.3nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

功率-最大

2.27W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

90V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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