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SSM6P35FE,LM

SSM6P35FE,LM

僅供參考

型號 SSM6P35FE,LM
PNEDA編號 SSM6P35FE-LM
描述 MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SSM6P35FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SSM6P35FE,LM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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SSM6P35FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12.2pF @ 3V
功率-最大150mW
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 15V

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2.7W

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 800mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

55pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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