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NTLJD4150PTBG

NTLJD4150PTBG

僅供參考

型號 NTLJD4150PTBG
PNEDA編號 NTLJD4150PTBG
描述 MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD4150PTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD4150PTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NTLJD4150PTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 15V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 8.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V, 20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

435pF @ 15V

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