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NTLTD7900ZR2G

NTLTD7900ZR2G

僅供參考

型號 NTLTD7900ZR2G
PNEDA編號 NTLTD7900ZR2G
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLTD7900ZR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLTD7900ZR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLTD7900ZR2G, NTLTD7900ZR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 334.57 KB)
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NTLTD7900ZR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs26mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 16V
功率-最大1.5W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝Micro8™

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

161pF @ 15V

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 25V

功率-最大

300mW

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