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NTMFD4C87NT3G

NTMFD4C87NT3G

僅供參考

型號 NTMFD4C87NT3G
PNEDA編號 NTMFD4C87NT3G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C87NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C87NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C87NT3G, NTMFD4C87NT3G數據表 (總頁數: 12, 大小: 120.15 KB)
PDFNTMFD4C87NT1G數據表 封面
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NTMFD4C87NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A, 14.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1252pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

153pF @ 50V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

SuperSOT™-6

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1984pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1154pF @ 20V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

337A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 180A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1224nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 1000V

功率-最大

2140W

工作溫度

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