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NTMFD4C88NT3G

NTMFD4C88NT3G

僅供參考

型號 NTMFD4C88NT3G
PNEDA編號 NTMFD4C88NT3G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C88NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C88NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C88NT3G, NTMFD4C88NT3G數據表 (總頁數: 12, 大小: 127.78 KB)
PDFNTMFD4C88NT1G數據表 封面
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NTMFD4C88NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A, 14.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22.2nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1252pF @ 15V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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Diodes Incorporated

系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

FDMA1028NZ

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

6-MicroFET (2x2)

APTC60TDUM35PG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6-P

APTM10TDUM09PG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6-P

ALD110902PAL

Advanced Linear Devices Inc.

制造商

Advanced Linear Devices Inc.

系列

EPAD®

FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.2V

Vgs(th)(最大)@ ID

220mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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