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NTMFD5C680NLT1G

NTMFD5C680NLT1G

僅供參考

型號 NTMFD5C680NLT1G
PNEDA編號 NTMFD5C680NLT1G
描述 T6 60V LL SO8FL DUAL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 4 - 十二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD5C680NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD5C680NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD5C680NLT1G, NTMFD5C680NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 270.24 KB)
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NTMFD5C680NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 13µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
功率-最大3W (Ta), 19W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 10V

功率-最大

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

412pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Infineon Technologies

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

360mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 8V

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