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NTMFS4854NST1G

NTMFS4854NST1G

僅供參考

型號 NTMFS4854NST1G
PNEDA編號 NTMFS4854NST1G
描述 MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4854NST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4854NST1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4854NST1G, NTMFS4854NST1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 145.95 KB)
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NTMFS4854NST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列SENSEFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.2A (Ta), 149A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3.2V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 11.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4830pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)900mW (Ta), 86.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SO-8FL
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5626pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 50A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 5V

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FET功能

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功耗(最大值)

500mW (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

200W (Tc)

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