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NTQD6968NR2G

NTQD6968NR2G

僅供參考

型號 NTQD6968NR2G
PNEDA編號 NTQD6968NR2G
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTQD6968NR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTQD6968NR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTQD6968NR2G, NTQD6968NR2G數據表 (總頁數: 7, 大小: 86.76 KB)
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NTQD6968NR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 16V
功率-最大1.39W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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Infineon Technologies

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Infineon Technologies

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

387pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

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