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NVMFD5853NT1G

NVMFD5853NT1G

僅供參考

型號 NVMFD5853NT1G
PNEDA編號 NVMFD5853NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5853NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5853NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5853NT1G, NVMFD5853NT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 136.5 KB)
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NVMFD5853NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1225pF @ 25V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

390W

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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8-PowerVDFN

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 16V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.15V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.44pF @ 15V

功率-最大

330mW

工作溫度

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