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PEMB1,115

PEMB1,115

僅供參考

型號 PEMB1,115
PNEDA編號 PEMB1-115
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMB1資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMB1,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMB1, PEMB1數據表 (總頁數: 15, 大小: 914.34 KB)
PDFPUMB1/DG/B3數據表 封面
PUMB1/DG/B3數據表 頁面 2 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 3 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 4 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 5 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 6 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 7 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 8 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 9 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 10 PUMB1/DG/B3數據表 頁面 11

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PEMB1規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 1mA, 5V

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