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PEMH10,115

PEMH10,115

僅供參考

型號 PEMH10,115
PNEDA編號 PEMH10-115
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 269,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMH10資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMH10,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMH10, PEMH10數據表 (總頁數: 16, 大小: 907.74 KB)
PDFPUMH10Z數據表 封面
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PEMH10規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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制造商

Panasonic Electronic Components

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 30V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-665

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

187mW

安裝類型

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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