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PMPB215ENEA/FX

PMPB215ENEA/FX

僅供參考

型號 PMPB215ENEA/FX
PNEDA編號 PMPB215ENEA-FX
描述 MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMPB215ENEA/FX資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMPB215ENEA/FX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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PMPB215ENEA/FX規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds215pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-DFN2020MD (2x2)
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 430A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2750nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

128A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3425pF @ 75V

FET功能

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功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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