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PMV50ENEAR

PMV50ENEAR

僅供參考

型號 PMV50ENEAR
PNEDA編號 PMV50ENEAR
描述 MOSFET N-CH 30V TO-236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMV50ENEAR資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMV50ENEAR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PMV50ENEAR, PMV50ENEAR數據表 (總頁數: 16, 大小: 722.43 KB)
PDFPMV50ENEAR數據表 封面
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PMV50ENEAR規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs43mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds276pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)510mW (Ta), 3.9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1091pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 320µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

877pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1395pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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13nC @ 5V

Vgs(最大)

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