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PN3563_D26Z

PN3563_D26Z

僅供參考

型號 PN3563_D26Z
PNEDA編號 PN3563_D26Z
描述 RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 5 - 二月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN3563_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN3563_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
PN3563_D26Z, PN3563_D26Z數據表 (總頁數: 7, 大小: 528.99 KB)
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PN3563_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡1.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益14dB ~ 26dB
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 8mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

9dB ~ 14dB

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10.5dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

增益

19dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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