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PSMN3R4-30BLE,118

PSMN3R4-30BLE,118

僅供參考

型號 PSMN3R4-30BLE,118
PNEDA編號 PSMN3R4-30BLE-118
描述 MOSFET N-CH 30V D2PAK
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 13,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PSMN3R4-30BLE資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PSMN3R4-30BLE,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PSMN3R4-30BLE, PSMN3R4-30BLE數據表 (總頁數: 13, 大小: 732.66 KB)
PDFPSMN3R4-30BLE數據表 封面
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PSMN3R4-30BLE規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.15V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4682pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)178W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I-PAK

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1870pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

111mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

196mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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