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QS8M12TCR

QS8M12TCR

僅供參考

型號 QS8M12TCR
PNEDA編號 QS8M12TCR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8M12TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8M12TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS8M12TCR, QS8M12TCR數據表 (總頁數: 11, 大小: 737.47 KB)
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QS8M12TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.4nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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6.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 10V

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2.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 2.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A, 4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 10V

功率-最大

4.5W

工作溫度

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