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QS8M12TCR

QS8M12TCR

僅供參考

型號 QS8M12TCR
PNEDA編號 QS8M12TCR
描述 MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

QS8M12TCR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號QS8M12TCR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
QS8M12TCR, QS8M12TCR數據表 (總頁數: 11, 大小: 737.47 KB)
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QS8M12TCR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.4nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds250pF @ 10V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TSMT8

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 10V

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

33mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 30V

功率-最大

1.33W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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