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R1LV0108ESF-5SR#B0

R1LV0108ESF-5SR#B0

僅供參考

型號 R1LV0108ESF-5SR#B0
PNEDA編號 R1LV0108ESF-5SR-B0
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R1LV0108ESF-5SR#B0資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R1LV0108ESF-5SR#B0
類別半導體內存IC內存
數據表
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R1LV0108ESF-5SR#B0規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP (8x20)

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內存接口

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

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