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R6020JNJGTL

R6020JNJGTL

僅供參考

型號 R6020JNJGTL
PNEDA編號 R6020JNJGTL
描述 NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

R6020JNJGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號R6020JNJGTL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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R6020JNJGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)15V
Rds On(Max)@ Id,Vgs234mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID7V @ 3.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 15V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)252W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LPTS (D2PAK)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

404nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

H2Pak-2

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Ta), 58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1725pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 73W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

884pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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