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RFP3055LE

RFP3055LE

僅供參考

型號 RFP3055LE
PNEDA編號 RFP3055LE
描述 MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RFP3055LE資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RFP3055LE
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RFP3055LE, RFP3055LE數據表 (總頁數: 8, 大小: 416.36 KB)
PDFRFP3055LE數據表 封面
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RFP3055LE規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs107mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.3nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 340µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-TO252-3

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7607

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

Micro8™

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1877pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

ITO-220

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

147W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

154mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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