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RGP20BHE3/54

RGP20BHE3/54

僅供參考

型號 RGP20BHE3/54
PNEDA編號 RGP20BHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A GP20
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RGP20BHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RGP20BHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RGP20BHE3/54, RGP20BHE3/54數據表 (總頁數: 4, 大小: 82.74 KB)
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RGP20BHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝GP20
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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100V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

705mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

140µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

1.4mA @ 15V

電容@ Vr,F

880pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

400A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AA, A-PUK

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

30pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

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